| SI7792DP-T1-GE3 | |
|---|---|
| លេខផ្នែក | SI7792DP-T1-GE3 |
| ក្រុមហ៊ុនផលិត | Vishay Siliconix |
| ការពិពណ៌នា | MOSFET N-CH 30V 40.6A/60A PPAK |
| បរិមាណដែលអាចរកបាន | 2575 pcs new original in stock. ស្នើរសុំភាគហ៊ុន & សម្រង់ |
| គំរូ ECAD | |
| តារាងទិន្នន័យ | 1.SI7792DP-T1-GE3.pdf2.SI7792DP-T1-GE3.pdf |
| SI7792DP-T1-GE3 Price |
សំណើសុំតម្លៃនិងពេលវេលានាំមុខលើអិនធឺណេត or Email us: Info@ariat-tech.com |
| ព័ត៌មានបច្ចេកទេសនៃ SI7792DP-T1-GE3 | |||
|---|---|---|---|
| លេខក្រុមហ៊ុនផលិត | SI7792DP-T1-GE3 | ប្រភេទ | |
| ក្រុមហ៊ុនផលិត | Electro-Films (EFI) / Vishay | ការពិពណ៌នា | MOSFET N-CH 30V 40.6A/60A PPAK |
| កញ្ចប់ / សំណុំរឿង | PowerPAK® SO-8 | បរិមាណដែលអាចរកបាន | 2575 pcs |
| Vgs (th) (អតិបរមា) @ Id | 2.5V @ 250µA | VGS (អតិបរមា) | ±20V |
| បច្ចេកវិទ្យា | MOSFET (Metal Oxide) | កញ្ចប់ឧបករណ៍ផ្គត់ផ្គង់ | PowerPAK® SO-8 |
| ស៊េរី | SkyFET®, TrenchFET® Gen III | Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs | 2.1mOhm @ 20A, 10V |
| ការបញ្ចោញថាមពល (អតិបរមា) | 6.25W (Ta), 104W (Tc) | កញ្ចប់ / សំណុំរឿង | PowerPAK® SO-8 |
| កហ្ចប់ | Tape & Reel (TR) | សីតុណ្ហភាពប្រតិបត្តិការ | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| ប្រភេទម៉ោន | Surface Mount | សមត្ថភាពបញ្ចូល (Ciss) (អតិបរមា) @ Vds | 4735 pF @ 15 V |
| ច្រកច្រក (Qg) (អតិបរមា) @ Vgs | 135 nC @ 10 V | FET ប្រភេទ | N-Channel |
| លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET | Schottky Diode (Body) | វ៉ុលដ្រាយវ៍ (លេខអតិបរមានៅថ្ងៃទីតិច) | 4.5V, 10V |
| បង្ហូរទៅតង់ស្យុងប្រភព (Vdss) | 30 V | ចរន្ត - បន្តលិច (Id) @ 25 ° C | 40.6A (Ta), 60A (Tc) |
| លេខផលិតផលមូលដ្ឋាន | SI7792 | ||
| ទាញយក | SI7792DP-T1-GE3 PDF - EN.pdf | ||
SI7792DP-T1-GE3 គឺថ្មីនិងមាននៅក្នុងស្តុកសូមស្វែងរកស្តុកគ្រឿងបន្លាស់អេឡិចត្រូនិច SI7792DP-T1-GE3 ឌីតាថេតសារពើភ័ណ្ឌនិងតម្លៃនៅអេចឌី ៣ តាមអ៊ិនធរណេតបញ្ជាទិញអេមភីអេស ១១១ ២ ដោយមានការធានានិងទំនុកចិត្តពីអិមអេស ៤ លីមីតធីត។ ដឹកជញ្ជូនតាម DHL / FedEx / UPS ។ ការទូទាត់ជាមួយការផ្ទេរប្រាក់តាមខ្សែរឺ PayPal មិនអីទេ។
អ៊ីម៉ែលមកយើង៖ Info@Ariat-Tech.com ឬ RFQ SI7792DP-T1-GE3 Online ។
អ៊ីម៉ែលមកយើង៖ Info@Ariat-Tech.com ឬ RFQ SI7792DP-T1-GE3 Online ។
| ភាគហ៊ុន SI7792DP-T1-GE3 | តម្លៃ SI7792DP-T1-GE3 | អេឡិចត្រូនិចអេឡិចត្រូនិចលេខ ០០ | |||
| សមាសភាគ SI7792DP-T1-GE3 | សន្និធិ SI7792DP-T1-GE3 | ឌីស៊ី ០០ ឌីហ្គីឌី | |||
| អ្នកផ្គត់ផ្គង់ SI7792DP-T1-GE3 | បញ្ជាទិញ SI7792DP-T1-GE3 តាមអ៊ិនធរណេត | សាកសួរ SI7792DP-T1-GE3 | |||
| រូបភាព SI7792DP-T1-GE3 | រូបភាព SI7792DP-T1-GE3 | អេមអេ ០០ ភី។ អេ។ ភី | |||
| ឌីអេសអេ ០ ០ សន្លឹក | ទាញយកសន្លឹកអេសឌី ០៩ | ក្រុមហ៊ុនផលិត Electro-Films (EFI) / Vishay | |||
| ផ្នែកទាក់ទងសម្រាប់ SI7792DP-T1-GE3 | |||||
|---|---|---|---|---|---|
| រូបភាព | លេខផ្នែក | ការពិពណ៌នា | ក្រុមហ៊ុនផលិត | ទទួលបានសម្រង់ | |
 |
SI7784DP-T1-GE3 | MOSFET N-CH 30V 35A PPAK SO-8 | Electro-Films (EFI) / Vishay | ||
 |
SI7802DN-T1-E3 | MOSFET N-CH 250V 1.24A PPAK | Vishay Siliconix | ||
|
SI7802DN-T1-GE3 | MOSFET N-CH 250V 1.24A PPAK | Vishay Siliconix | ||
 |
SI7790DP-T1-GE3 MOS | VISHAY PowerPAKSO-8 | VISHAY | ||
 |
SI7790DP-T1-GE3 | MOSFET N-CH 40V 50A PPAK SO-8 | Vishay Siliconix | ||
 |
SI7802DN | SI7802DN SI | SI | ||
|
SI7784DP-T1-GE3 | MOSFET N-CH 30V 35A PPAK SO-8 | Vishay Siliconix | ||
|
SI7802DN-T1-E3 | MOSFET N-CH 250V 1.24A 1212-8 | Electro-Films (EFI) / Vishay | ||
|
SI7804DN | SI7804DN SI | SI | ||
|
SI7784DP | VISHAY | |||
|
SI7794DP-T1-GE3 | MOSFET N-CH 30V 28.6A/60A PPAK | Vishay Siliconix | ||
|
SI7790DP-T1-GE3 | MOSFET N-CH 40V 50A PPAK SO-8 | Electro-Films (EFI) / Vishay | ||
|
Si7790DP-T1-E3 | Si7790DP-T1-E3 VISHAY | VISHAY | ||
|
SI7802DN-T1-GE3 | MOSFET N-CH 250V 1.24A 1212-8 | Electro-Films (EFI) / Vishay | ||
|
SI7798DP-T1-GE3 | SI7798DP-T1-GE3 VISHAY | VISHAY | ||
|
SI7788DP-T1-GE3 MOS | VBSEMI QFN8 | VBSEMI | ||
|
SI7788DP-T1-GE3 | MOSFET N-CH 30V 50A PPAK SO-8 | Electro-Films (EFI) / Vishay | ||
|
SI7800ADN | SI7800ADN SI | SI | ||
|
SI7788DP-T1-GE3 | MOSFET N-CH 30V 50A PPAK SO-8 | Vishay Siliconix | ||
|
SI7804DN-T1-E3 | MOSFET N-CH 30V 6.5A PPAK1212-8 | Vishay Siliconix | ||
ព័ត៌មាន
ច្រើនទៀត
SOCCIP របស់ Microchip SOC FPGA ទទួលបាននូវគុ...
PolFga របស់ Microchip បានទទួលវិញ្ញាបនប័ត្រ AEC-Q100 ដែលបញ្ជាក់ពីភាពជឿជាក់របស់ខ្លួនក្រោមលក...
ក្រុមហ៊ុន Infineon ចេញនូវរបកគំហើញប...
PSOcTM 4000T គឺជាផលិតផលដំបូងរបស់ក្រុមហ៊ុន Infineon ដែលបានបង្ហាញពីមុខងារដែលមានផានស៊ែរដែ...
តូបការអភិវឌ្ឍន៍របស់សហរដ្ឋអាមេ...
នាយកប្រតិបត្តិក្រុមហ៊ុនផ្គត់ផ្គង់គ្រឿងបន្លាស់រថយន្តបានបង្ហាញថា EV ការអភិវឌ្ឍន...
ក្រុមហ៊ុន Infineon និង Eptron ពង្រីកកិ...
Infineon និង Epineon កំពុងពង្រីកប្រព័ន្ធគ្រប់គ្រងអាគុយ AI របស់ពួកគេ (BMS) សហការគ្នាក្នុងក...
នៅលើអេឡិចត្រូនិចធ្វើឱ្យបង្កើត...
នៅលើ SemiconDuctor ថ្មីៗនេះបានប្រកាសពីការចាប់ផ្តើមនៃពេលវេលានៃការហោះហើរដំបូងនៃការហោ...
ផលិតផលថ្មី
ច្រើនទៀត
ម៉ូឌុលប៊្លូធូស Xpress និងវេទិកាអភ...
ម៉ូឌុលប៊្លូធូស Xpress និងវេទិកាអភិវឌ្ឍន៍ស៊ីលីខនប៊្លុកស៊ីប៊លប៊្លុច ១៣ ស៊ីលីខនគឺជា...
EFR32 ™ Flex Gecko Sub-GHz និងឧបករណ៍ចាប់ខ្...
EFR32 ™ Flex Gecko Sub-GHz និងឧបករណ៍ចាប់ខ្សែឥតខ្សែមានល្បឿន ២,៤ GHz...
ឧបករណ៍អភិវឌ្ឍន៍វ៉ាយហ្វាយសម្រា...
ឧបករណ៍អភិវឌ្ឍន៍វ៉ាយហ្វាយសម្រាប់ម៉ូឌុល Zentri AMW007-E03 ឧបក...
ឧបករណ៍អេឡិចត្រូនិចស៊ីអេស ៣៤០៤ ...
ឧបករណ៍អេឡិចត្រូនិចស៊ីអេស ៣៤០៤ និងស៊ី .៣០៦x គុណនឹងអេធើ...
ក្រុមគ្រួសារញែកដាច់ពីគ្នាឌីជី...
ក្រុមគ្រួសារញែកដាច់ពីគ្នាឌីជីថល Si86xx ភាពឯកោឌីជីថលរបស...
បន្ទះឈីប IC និងម៉ូឌុល IGBT - ភាគហ៊ុនក្តៅលេខភាគហ៊ុន
អ៊ីមែល៖ Info@ariat-tech.comហុកថេលៈ +00 ៨៥២-៣០៥០១៩៦៦បន្ថែម៖ មជ្ឈមណ្ឌល ២៧០៣ ២៧F ហូស្តេចមជ្ឈមណ្ឌល ២-១៦,
ហ្វាយយូនផ្លូវម៉ុងគុកហូឡុងហុងកុង។
ភាសា:
អ្នកផ្គត់ផ្គង់គ្រឿងបន្លាស់អេឡិចត្រូនិច - បន្ទះសៀគ្វីអាយស៊ីបនិងអ្នកផ្គត់ផ្គង់ម៉ូឌុលអេអាយជីធី - www.ariat-tech.comសេចក្តីជូនដំណឹងរក្សាសិទ្ធិ© ១៩៩៦-២០២១ ARIAT TECHNOLOGY LIMITED ។រក្សារសិទ្ធគ្រប់យ៉ាង។