| IRF1010NPBF | |
|---|---|
| លេខផ្នែក | IRF1010NPBF |
| ក្រុមហ៊ុនផលិត | Infineon Technologies |
| ការពិពណ៌នា | MOSFET N-CH 55V 85A TO220AB |
| បរិមាណដែលអាចរកបាន | 2974 pcs new original in stock. ស្នើរសុំភាគហ៊ុន & សម្រង់ |
| គំរូ ECAD | |
| តារាងទិន្នន័យ | 1.IRF1010NPBF.pdf2.IRF1010NPBF.pdf3.IRF1010NPBF.pdf4.IRF1010NPBF.pdf5.IRF1010NPBF.pdf6.IRF1010NPBF.pdf7.IRF1010NPBF.pdf |
| IRF1010NPBF Price |
សំណើសុំតម្លៃនិងពេលវេលានាំមុខលើអិនធឺណេត or Email us: Info@ariat-tech.com |
| ព័ត៌មានបច្ចេកទេសនៃ IRF1010NPBF | |||
|---|---|---|---|
| លេខក្រុមហ៊ុនផលិត | IRF1010NPBF | ប្រភេទ | |
| ក្រុមហ៊ុនផលិត | Cypress Semiconductor (Infineon Technologies) | ការពិពណ៌នា | MOSFET N-CH 55V 85A TO220AB |
| កញ្ចប់ / សំណុំរឿង | TO-220AB | បរិមាណដែលអាចរកបាន | 2974 pcs |
| Vgs (th) (អតិបរមា) @ Id | 4V @ 250µA | VGS (អតិបរមា) | ±20V |
| បច្ចេកវិទ្យា | MOSFET (Metal Oxide) | កញ្ចប់ឧបករណ៍ផ្គត់ផ្គង់ | TO-220AB |
| ស៊េរី | HEXFET® | Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs | 11mOhm @ 43A, 10V |
| ការបញ្ចោញថាមពល (អតិបរមា) | 180W (Tc) | កញ្ចប់ / សំណុំរឿង | TO-220-3 |
| កហ្ចប់ | Tube | សីតុណ្ហភាពប្រតិបត្តិការ | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| ប្រភេទម៉ោន | Through Hole | សមត្ថភាពបញ្ចូល (Ciss) (អតិបរមា) @ Vds | 3210 pF @ 25 V |
| ច្រកច្រក (Qg) (អតិបរមា) @ Vgs | 120 nC @ 10 V | FET ប្រភេទ | N-Channel |
| លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET | - | វ៉ុលដ្រាយវ៍ (លេខអតិបរមានៅថ្ងៃទីតិច) | 10V |
| បង្ហូរទៅតង់ស្យុងប្រភព (Vdss) | 55 V | ចរន្ត - បន្តលិច (Id) @ 25 ° C | 85A (Tc) |
| លេខផលិតផលមូលដ្ឋាន | IRF1010 | ||
| ទាញយក | IRF1010NPBF PDF - EN.pdf | ||
អ៊ីម៉ែលមកយើង៖ Info@Ariat-Tech.com ឬ RFQ IRF1010NPBF Online ។
| ភាគហ៊ុន IRF1010NPBF | តម្លៃ IRF1010NPBF | អេឡិចត្រូនិចអេឡិចត្រូនិចលេខ ០០ |
| សមាសភាគ IRF1010NPBF | សន្និធិ IRF1010NPBF | ឌីស៊ី ០០ ឌីហ្គីឌី |
| អ្នកផ្គត់ផ្គង់ IRF1010NPBF | បញ្ជាទិញ IRF1010NPBF តាមអ៊ិនធរណេត | សាកសួរ IRF1010NPBF |
| រូបភាព IRF1010NPBF | រូបភាព IRF1010NPBF | អេមអេ ០០ ភី។ អេ។ ភី |
| ឌីអេសអេ ០ ០ សន្លឹក | ទាញយកសន្លឹកអេសឌី ០៩ | ក្រុមហ៊ុនផលិត Cypress Semiconductor (Infineon Technologies) |
