| SI7540DP-T1-E3 | |
|---|---|
| លេខផ្នែក | SI7540DP-T1-E3 |
| ក្រុមហ៊ុនផលិត | Vishay Siliconix |
| ការពិពណ៌នា | MOSFET N/P-CH 12V 7.6A PPAK SO-8 |
| បរិមាណដែលអាចរកបាន | 2835 pcs new original in stock. ស្នើរសុំភាគហ៊ុន & សម្រង់ |
| គំរូ ECAD | |
| តារាងទិន្នន័យ | 1.SI7540DP-T1-E3.pdf2.SI7540DP-T1-E3.pdf |
| SI7540DP-T1-E3 Price |
សំណើសុំតម្លៃនិងពេលវេលានាំមុខលើអិនធឺណេត or Email us: Info@ariat-tech.com |
| ព័ត៌មានបច្ចេកទេសនៃ SI7540DP-T1-E3 | |||
|---|---|---|---|
| លេខក្រុមហ៊ុនផលិត | SI7540DP-T1-E3 | ប្រភេទ | |
| ក្រុមហ៊ុនផលិត | Vishay / Siliconix | ការពិពណ៌នា | MOSFET N/P-CH 12V 7.6A PPAK SO-8 |
| កញ្ចប់ / សំណុំរឿង | PowerPAK® SO-8 Dual | បរិមាណដែលអាចរកបាន | 2835 pcs |
| Vgs (th) (អតិបរមា) @ Id | 1.5V @ 250µA | បច្ចេកវិទ្យា | MOSFET (Metal Oxide) |
| កញ្ចប់ឧបករណ៍ផ្គត់ផ្គង់ | PowerPAK® SO-8 Dual | ស៊េរី | TrenchFET® |
| Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs | 17mOhm @ 11.8A, 4.5V | ថាមពល - អតិបរមា | 1.4W |
| កញ្ចប់ / សំណុំរឿង | PowerPAK® SO-8 Dual | កហ្ចប់ | Tape & Reel (TR) |
| សីតុណ្ហភាពប្រតិបត្តិការ | -55°C ~ 150°C (TJ) | ប្រភេទម៉ោន | Surface Mount |
| សមត្ថភាពបញ្ចូល (Ciss) (អតិបរមា) @ Vds | - | ច្រកច្រក (Qg) (អតិបរមា) @ Vgs | 17nC @ 4.5V |
| លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET | Logic Level Gate | បង្ហូរទៅតង់ស្យុងប្រភព (Vdss) | 12V |
| ចរន្ត - បន្តលិច (Id) @ 25 ° C | 7.6A, 5.7A | ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធ | N and P-Channel |
| លេខផលិតផលមូលដ្ឋាន | SI7540 | ||
| ទាញយក | SI7540DP-T1-E3 PDF - EN.pdf | ||
អ៊ីម៉ែលមកយើង៖ Info@Ariat-Tech.com ឬ RFQ SI7540DP-T1-E3 Online ។
| ភាគហ៊ុន SI7540DP-T1-E3 | តម្លៃ SI7540DP-T1-E3 | អេឡិចត្រូនិចអេឡិចត្រូនិចលេខ ០០ |
| សមាសភាគ SI7540DP-T1-E3 | សន្និធិ SI7540DP-T1-E3 | ឌីស៊ី ០០ ឌីហ្គីឌី |
| អ្នកផ្គត់ផ្គង់ SI7540DP-T1-E3 | បញ្ជាទិញ SI7540DP-T1-E3 តាមអ៊ិនធរណេត | សាកសួរ SI7540DP-T1-E3 |
| រូបភាព SI7540DP-T1-E3 | រូបភាព SI7540DP-T1-E3 | អេមអេ ០០ ភី។ អេ។ ភី |
| ឌីអេសអេ ០ ០ សន្លឹក | ទាញយកសន្លឹកអេសឌី ០៩ | ក្រុមហ៊ុនផលិត Vishay / Siliconix |
