| SIR470DP-T1-GE3 | |
|---|---|
| លេខផ្នែក | SIR470DP-T1-GE3 |
| ក្រុមហ៊ុនផលិត | Vishay Siliconix |
| ការពិពណ៌នា | MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8 |
| បរិមាណដែលអាចរកបាន | 31246 pcs new original in stock. ស្នើរសុំភាគហ៊ុន & សម្រង់ |
| គំរូ ECAD | |
| តារាងទិន្នន័យ | 1.SIR470DP-T1-GE3.pdf2.SIR470DP-T1-GE3.pdf3.SIR470DP-T1-GE3.pdf4.SIR470DP-T1-GE3.pdf |
| SIR470DP-T1-GE3 Price |
សំណើសុំតម្លៃនិងពេលវេលានាំមុខលើអិនធឺណេត or Email us: Info@ariat-tech.com |
| ព័ត៌មានបច្ចេកទេសនៃ SIR470DP-T1-GE3 | |||
|---|---|---|---|
| លេខក្រុមហ៊ុនផលិត | SIR470DP-T1-GE3 | ប្រភេទ | |
| ក្រុមហ៊ុនផលិត | Vishay / Siliconix | ការពិពណ៌នា | MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8 |
| កញ្ចប់ / សំណុំរឿង | PowerPAK® SO-8 | បរិមាណដែលអាចរកបាន | 31246 pcs |
| Vgs (th) (អតិបរមា) @ Id | 2.5V @ 250µA | VGS (អតិបរមា) | ±20V |
| បច្ចេកវិទ្យា | MOSFET (Metal Oxide) | កញ្ចប់ឧបករណ៍ផ្គត់ផ្គង់ | PowerPAK® SO-8 |
| ស៊េរី | TrenchFET® | Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs | 2.3mOhm @ 20A, 10V |
| ការបញ្ចោញថាមពល (អតិបរមា) | 6.25W (Ta), 104W (Tc) | កញ្ចប់ / សំណុំរឿង | PowerPAK® SO-8 |
| កហ្ចប់ | Tape & Reel (TR) | សីតុណ្ហភាពប្រតិបត្តិការ | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| ប្រភេទម៉ោន | Surface Mount | សមត្ថភាពបញ្ចូល (Ciss) (អតិបរមា) @ Vds | 5660 pF @ 20 V |
| ច្រកច្រក (Qg) (អតិបរមា) @ Vgs | 155 nC @ 10 V | FET ប្រភេទ | N-Channel |
| លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET | - | វ៉ុលដ្រាយវ៍ (លេខអតិបរមានៅថ្ងៃទីតិច) | 4.5V, 10V |
| បង្ហូរទៅតង់ស្យុងប្រភព (Vdss) | 40 V | ចរន្ត - បន្តលិច (Id) @ 25 ° C | 60A (Tc) |
| លេខផលិតផលមូលដ្ឋាន | SIR470 | ||
| ទាញយក | SIR470DP-T1-GE3 PDF - EN.pdf | ||
SIR470DP-T1-GE3 គឺថ្មីនិងមាននៅក្នុងស្តុកសូមស្វែងរកស្តុកគ្រឿងបន្លាស់អេឡិចត្រូនិច SIR470DP-T1-GE3 ឌីតាថេតសារពើភ័ណ្ឌនិងតម្លៃនៅអេចឌី ៣ តាមអ៊ិនធរណេតបញ្ជាទិញអេមភីអេស ១១១ ២ ដោយមានការធានានិងទំនុកចិត្តពីអិមអេស ៤ លីមីតធីត។ ដឹកជញ្ជូនតាម DHL / FedEx / UPS ។ ការទូទាត់ជាមួយការផ្ទេរប្រាក់តាមខ្សែរឺ PayPal មិនអីទេ។
អ៊ីម៉ែលមកយើង៖ Info@Ariat-Tech.com ឬ RFQ SIR470DP-T1-GE3 Online ។
អ៊ីម៉ែលមកយើង៖ Info@Ariat-Tech.com ឬ RFQ SIR470DP-T1-GE3 Online ។
| ភាគហ៊ុន SIR470DP-T1-GE3 | តម្លៃ SIR470DP-T1-GE3 | អេឡិចត្រូនិចអេឡិចត្រូនិចលេខ ០០ | |||
| សមាសភាគ SIR470DP-T1-GE3 | សន្និធិ SIR470DP-T1-GE3 | ឌីស៊ី ០០ ឌីហ្គីឌី | |||
| អ្នកផ្គត់ផ្គង់ SIR470DP-T1-GE3 | បញ្ជាទិញ SIR470DP-T1-GE3 តាមអ៊ិនធរណេត | សាកសួរ SIR470DP-T1-GE3 | |||
| រូបភាព SIR470DP-T1-GE3 | រូបភាព SIR470DP-T1-GE3 | អេមអេ ០០ ភី។ អេ។ ភី | |||
| ឌីអេសអេ ០ ០ សន្លឹក | ទាញយកសន្លឹកអេសឌី ០៩ | ក្រុមហ៊ុនផលិត Vishay / Siliconix | |||
| ផ្នែកទាក់ទងសម្រាប់ SIR470DP-T1-GE3 | |||||
|---|---|---|---|---|---|
| រូបភាព | លេខផ្នែក | ការពិពណ៌នា | ក្រុមហ៊ុនផលិត | ទទួលបានសម្រង់ | |
 |
SIR466DP-T1-GE3 | MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8 | Vishay Siliconix | ||
 |
SIR472ADP-T1-GE3 | MOSFET N-CH 30V 18A PPAK SO-8 | Electro-Films (EFI) / Vishay | ||
 |
SIR470DP-T1-GE3 MOS | VISHAY QFN | VISHAY | ||
|
SIR470DP-T1-GE3 | MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8 | Electro-Films (EFI) / Vishay | ||
|
SIR468DP-T1-GE3 MOS | VISHAY QFN8 | VISHAY | ||
|
SIR468DP-T1-GE3 | MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8 | Vishay Siliconix | ||
|
SIR4680DP-T1-GE3 | VISHAY QFN | VISHAY | ||
|
SiR472DP MOS | VISHAY DFN-856 | VISHAY | ||
 |
SIR472ADP-T1 | ||||
|
SIR472DP | SIR472DP VISHAY | VISHAY | ||
|
SIR468DP-T1-GE3 MCU | VISHAY QFN8 | VISHAY | ||
|
SiR470DP | VISHAY DFN56 | VISHAY | ||
|
SIR466DP-T1-GE3 MOS | VISHAY SON8 | VISHAY | ||
|
SIR472DP-T1-GE3 | MOSFET N-CH 30V 20A PPAK SO-8 | Vishay Siliconix | ||
|
SIR468DP-T1-GE3 | MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8 | Electro-Films (EFI) / Vishay | ||
|
SIR472ADP-T1-GE3 | MOSFET N-CH 30V 18A PPAK SO-8 | Vishay Siliconix | ||
|
SiR468DP MOS | VISHAY DFN-856 | VISHAY | ||
|
SiR472ADP | VISHAY DFN56 | VISHAY | ||
|
SiR472DP-T1-E3 | SiR472DP-T1-E3 VISHAY | VISHAY | ||
|
SiR470DP-T1-E3 | SiR470DP-T1-E3 VISHAY | VISHAY | ||
ព័ត៌មាន
ច្រើនទៀត
SOCCIP របស់ Microchip SOC FPGA ទទួលបាននូវគុ...
PolFga របស់ Microchip បានទទួលវិញ្ញាបនប័ត្រ AEC-Q100 ដែលបញ្ជាក់ពីភាពជឿជាក់របស់ខ្លួនក្រោមលក...
ក្រុមហ៊ុន Infineon ចេញនូវរបកគំហើញប...
PSOcTM 4000T គឺជាផលិតផលដំបូងរបស់ក្រុមហ៊ុន Infineon ដែលបានបង្ហាញពីមុខងារដែលមានផានស៊ែរដែ...
តូបការអភិវឌ្ឍន៍របស់សហរដ្ឋអាមេ...
នាយកប្រតិបត្តិក្រុមហ៊ុនផ្គត់ផ្គង់គ្រឿងបន្លាស់រថយន្តបានបង្ហាញថា EV ការអភិវឌ្ឍន...
ក្រុមហ៊ុន Infineon និង Eptron ពង្រីកកិ...
Infineon និង Epineon កំពុងពង្រីកប្រព័ន្ធគ្រប់គ្រងអាគុយ AI របស់ពួកគេ (BMS) សហការគ្នាក្នុងក...
នៅលើអេឡិចត្រូនិចធ្វើឱ្យបង្កើត...
នៅលើ SemiconDuctor ថ្មីៗនេះបានប្រកាសពីការចាប់ផ្តើមនៃពេលវេលានៃការហោះហើរដំបូងនៃការហោ...
ផលិតផលថ្មី
ច្រើនទៀត
ឧបករណ៍ចាប់សញ្ញារូបថតស៊េរី PD30
ឧបករណ៍ចាប់សញ្ញារូបថតស៊េរី PD30 ឧបករណ៍ចាប់សញ្ញារូបថតខ្...
ឧបករណ៍វាយតំលៃ XC112 / XR112 សំរាប់រ៉ា...
ឧបករណ៍វាយតំលៃ XC112 / XR112 សំរាប់រ៉ាដាអេឡិចត្រូនិច A111ឧបករណ៍វាយតំលៃ XC112 និង XR112 របស់អ្...
ដ្រាយនិងម៉ូទ័រម៉ូទ័រ MINAS A6 ស៊េរី
ដ្រាយនិងម៉ូទ័រម៉ូទ័រ MINAS A6 ស៊េរី ក្រុមគ្រួសាររបស់ Panaso...
ក្រុមប្រឹក្សាភិបាលកម្មវិធីបញ្...
ក្រុមប្រឹក្សាភិបាលកម្មវិធីបញ្ជាកាំរស្មីយូវី ក្តារប...
តេស្តឧស្សាហកម្មនិងពង្រីក DDR SDRAM
តេស្តឧស្សាហកម្មនិងពង្រីក DDR SDRAM ឧបករណ៍ឌីជីអរអេសឌីអេម...
បន្ទះឈីប IC និងម៉ូឌុល IGBT - ភាគហ៊ុនក្តៅលេខភាគហ៊ុន
អ៊ីមែល៖ Info@ariat-tech.comហុកថេលៈ +00 ៨៥២-៣០៥០១៩៦៦បន្ថែម៖ មជ្ឈមណ្ឌល ២៧០៣ ២៧F ហូស្តេចមជ្ឈមណ្ឌល ២-១៦,
ហ្វាយយូនផ្លូវម៉ុងគុកហូឡុងហុងកុង។
ភាសា:
អ្នកផ្គត់ផ្គង់គ្រឿងបន្លាស់អេឡិចត្រូនិច - បន្ទះសៀគ្វីអាយស៊ីបនិងអ្នកផ្គត់ផ្គង់ម៉ូឌុលអេអាយជីធី - www.ariat-tech.comសេចក្តីជូនដំណឹងរក្សាសិទ្ធិ© ១៩៩៦-២០២១ ARIAT TECHNOLOGY LIMITED ។រក្សារសិទ្ធគ្រប់យ៉ាង។